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            頂立科技參加第三代半導體SiC單晶生長技術交流會

            發布時間:2024-04-25發布人:瀏覽: 次
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            頂立科技參加第三代半導體SiC單晶生長技術交流會 (2).jpg

            頂立科技參加第三代半導體SiC單晶生長技術交流會 (1).jpg

            4月25日,由中國粉體網主辦的“第三屆半導體行業用陶瓷材料技術研討會暨第三代半導體SiC晶體生長技術交流會“在蘇州隆重召開。頂立科技受邀參會。

            頂立科技憑借材料工藝與熱工裝備高度鍥合的技術優勢,攻克了第三代半導體碳化硅、氨化鎵“單晶生長用原材料和熱場材料的關鍵制備技術,研制的高純碳粉、高純石墨、高純碳纖維保溫材料和碳化硅/碳化鉭涂層石墨構件等,性能指標達國際領先水平,主要應用于航空航天、新能源、電子電器、光伏等領域。

            碳化鉭涂層構件.jpg


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