采用先進的進氣控制技術，能精密控制MTS/SiCl4等的流量和壓力，爐膛內沉積壓力穩定，壓力波動??；
多通道工藝氣路，配合旋轉料臺，無沉積死角；
溫度場與氣流場耦合采用仿真輔助設計，溫度場與氣流場的均勻性好；
多級尾氣處理系統，能高效處理腐蝕性尾氣、固體副產物，環境友好；
爐殼采用耐腐蝕不銹鋼材質，熱場材料采用低灰分材質，嚴格把控進氣管路材質（選用EP級材質）；
適于工藝氣氛：真空/H2/N2/Ar/MTS等。
| 參數\型號 | HCVD-101015-SiC | HCVD-121220-SiC | VCVD-0608-SiC | VCVD-0812-SiC | VCVD-1015-SiC | VCVD-1218-SiC | VCVD-1520-SiC | VCVD-1530-SiC |
| 工作區尺寸 W×H×L（mm） | 1000×1000×1500 | 1200×1200×2000 | 600×800 | 800×1200 | 1000×1500 | 1200×1800 | 1500×2000 | 1500×3000 |
| 最高溫度（℃） | 1500 | |||||||
| 溫度均勻性（℃） | ±10/±15 | ±15/±20 | ±5/±7.5 | ±7.5/±10 | ±10/±15 | ±10/±15 | ±15/±20 | ±15/±20 |
| 極限真空度（Pa） | 1-100 | |||||||
| 壓升率（Pa/h） | 0.67 | |||||||
| 加熱方式 | 電阻 | |||||||
以上參數可根據工藝要求進行調整，不作為驗收依據，具體以技術方案和協議為準。
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